Radiation Damage; Ⅲ-Ⅴ Semiconductors; Space Cells; Concentrator Cells;
机译:3MeV和10MeV质子辐照的InGaAsP单结太阳能电池的光谱和电学性质
机译:能量范围在0.8 MeV至65 MeV的质子辐照后晶体硅太阳能电池的电致发光效率下降
机译:0.28-2.80 MeV质子辐照对航天用GalnP / GaAs / Ge三结太阳能电池的影响
机译:Ⅲ-Ⅳ太阳能电池10meV质子辐射的影响
机译:从10 MEV到80 MEV偶发动能的低能反质子质子散射
机译:能量为1 keV至10 MeV的中子辐照从聚乙烯转化器出来的质子的特性
机译:10MeV质子辐照对GAINP / GAAS / GE浓缩器太阳能电池及其组分子单元的辐照效应
机译:22和240 mEV质子对几种晶体管和太阳电池的辐照效应