首页> 外文会议>International Conference on Optical MEMS and Nanophotonics >Broadband Mid-Infrared Silicon-on-Insulator Waveguide Devices
【24h】

Broadband Mid-Infrared Silicon-on-Insulator Waveguide Devices

机译:宽带中红外硅式无光水波导器件

获取原文

摘要

We demonstrate SOI waveguide with low propagation and bending loss of 2dB/cm and 0.02dB/90° in the broad mid-infrared range of 3.68-3.88μm. By theoretically analyzing loss mechanisms, we indicate SOI waveguide's intrinsic limitation for mid-infrared application.
机译:我们展示了SOI波导,在宽的中红外线范围为3.68-3.88μm的较低的传播和弯曲损失,较低的传播和弯曲损耗。在理论上分析损失机制,我们表示SOI波导的内在红外应用的内在限制。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号