ALD; HfO; Ni; RRAM; variability;
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机译:基于FIB的操作PT / HFO
机译:基于WO
机译:NI / HFO
机译:基于HFO2的RRAM不同电阻状态的反射系数研究
机译:HtO2 / TiO2 / HfO2三层结构RRAM器件在原子层沉积制备的Pt和TiN涂层衬底上的双极电阻转换特性
机译:现场记忆周期TA