Epitaxial growth; Gallium arsenide; Indium; Lasers; Substrates; Temperature; Temperature measurement;
机译:GaAs衬底上具有InGaAs变质缓冲层的1.26-μμm脊形波导激光器的高温操作
机译:Gaas衬底上具有Ingaas变质缓冲层的1.26μm法布里-珀罗激光的高温操作
机译:GaAs衬底上具有InGaAs变质缓冲层的1.26; C; m Fabry-Perot激光器的高温操作
机译:1.26μm脊波导激光器的高温操作,GaAs衬底上的Ingaas变质缓冲器
机译:基于在结构化衬底上生长的低阈值应变InGaAs / GaAs量子阱激光器的光电器件
机译:自组装GaInNAs / GaAsN量子点激光器:固体源分子束外延生长和高温操作
机译:室温下在(100)Si衬底上的超低阈值GaAs / AlGaAs广域注入激光器的连续波操作
机译:在单片Gaas / si衬底上制备的Gaas / alGaas二极管激光器的室温操作