cryogenic electronics; electron traps; elemental semiconductors; negative bias temperature instability; silicon; thin film transistors; Si; electron trapping; gate oxide; kink effect; leakage current suppression; low-temperature polycrystalline silicon thin-film transistors; negative bias sweeping; on-state characteristics; p-type low-temperature poly-Si TFTs; subthreshold characteristics; Abstracts; Logic gates; Nanotechnology;
机译:多晶硅薄膜晶体管栅致漏漏电流的研究及其对漏极偏置扫描的抑制
机译:不同晶粒度的p型低温多晶硅薄膜晶体管的负偏置温度不稳定性退化分析
机译:体贴式低温多晶硅薄膜晶体管的负偏置温度不稳定性分析
机译:抑制低温多晶硅薄膜晶体管的漏电流通过负偏差扫描
机译:在二氧化f和基于二氧化硅的金属氧化物-硅结构中,与偏置温度不稳定性和应力引起的泄漏电流有关的缺陷的磁共振观察。
机译:低温多晶硅薄膜晶体管中使用负电容的sub-kT / q亚阈值斜率
机译:P沟道低温多晶硅薄膜晶体管的局部电荷喷射区域建模