III-V semiconductors; MOSFET; cooling; gallium compounds; high electron mobility transistors; semiconductor epitaxial layers; surface treatment; zinc compounds; GaN; ZnO; epitaxial layers; gate-recessed MOS-HEMT; high electron mobility transistors; high frequency performance; lattice constant; metal-oxide-semiconductor field-effect transistors; noise performance; photoelectrochemical oxidation; surface treatment; vapor cooling condensation system; wurtize crystalline structure; Frequency measurement; Gallium nitride; Logic gates; Performance evaluation; Pollution measurement; Semiconductor device measurement; Zinc oxide;
机译:GaN基金属氧化物半导体场效应晶体管中通道移动性分析
机译:在独立的GaN衬底上以1.2 kV级工作的1.8mΩ·cm〜2垂直GaN基沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:氮流量比与溅射氮化钛栅体平面金属氧化物半导体场效应晶体管和鳍型金属氧化物半导体场效应晶体管电学特性的比较研究
机译:基于GaN的金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:常规金属氧化物半导体场效应晶体管的离子液体模数研究
机译:用于金属氧化物半导体电容器和场效应晶体管的氢化金刚石上高k氧化物概述
机译:Si基旋转金属氧化物 - 半导体场效应晶体管的旋转传输:在倒置通道中的旋转漂移效果,在N + -SI源/漏区中的旋转松弛