Bit error rate; Error correction; Error correction codes; Field programmable gate arrays; Flash memories; Interference; Measurement uncertainty; Bad Block; Lifetime; NAND Flash Memory;
机译:一种闪存感知写缓冲区方案,可增强基于超级块的NAND闪存系统的性能
机译:MLC NAND闪存存储系统的块级日志块管理方案
机译:使用擦除间隔的基于NAND闪存的存储系统的垃圾收集技术
机译:坏块重用方案可延长基于NAND闪存的存储系统的生命周期
机译:使用大规模NAND闪存的固态数据存储电路和系统。
机译:非对称编程:基于MLC NAND闪存的传感器系统的高度可靠的元数据分配策略
机译:通过抢救坏块来延长NaND闪存的使用寿命