mid Infrared; band anticrossing; absorption; gain; photoluminescence; many body effects; dilute nitrides;
机译:InP上生长的Ⅰ型InAsN和InGaAsN稀氮化物量子阱的扩展波长中红外光致发光
机译:LPE和MBE生长的InAsN稀氮化合金的中红外光致发光
机译:氮相互作用对稀氮化物半导体中光致发光线宽拓宽的影响
机译:用于中红外应用的稀氮化物InNAs / InGaAs / InP多量子阱的光致发光特性
机译:在红外光电器件应用的稀氮化物半导体的分子束外延生长过程中,等离子体种类的影响。
机译:铁磁半导体和稀磁半导体中的载流子状态-相干势法
机译:I型InAsN和InGaAsN在InP上生长的稀氮化物量子阱的扩展波长中红外光致发光
机译:利用时间分辨光致发光测量中波红外半导体中载流子弛豫的激发和温度依赖性