机译:稀土铝酸盐作为NAND闪存的电荷捕获材料:集成和电气评估
机译:在具有Si_3N_4或富含Si的SiN电荷陷阱层的TANOS存储器中评估DyScO_x作为替代阻挡电介质
机译:含封堵介质的密封氧化物的TANOS存储单元的分析
机译:优化稀土铝酸盐的结晶相,以阻止电介质在TANOS型闪存中的应用
机译:相和结晶行为由晶体-无定形二嵌段共聚物中的自组织,结晶和玻璃化作用确定。
机译:高k电介质的非易失性存储器述评:闪存可产生超过32 nm的光
机译:用Si3N4或Si-Rich SiN电荷捕获层作为TANOS存储器中替代阻断电介质的渗滤器评估