III-V semiconductors; antennas; gallium arsenide; photoconducting devices; GaAs; halfway power dependence mechanism; low-temperature-grown photoconductive antennas; wavelength 1.5 mum; Absorption; Antennas; Detectors; Gallium arsenide; Measurement by laser beam; Photoconductivity; Principal component analysis;
机译:使用在1.56μm脉冲激发下的低温生长InGaAs制成的光电导天线进行太赫兹波发射和检测
机译:基于低温生长的砷化镓和半绝缘砷化镓的光电导天线的发射特性
机译:基于低温生长的砷化镓和半绝缘砷化镓的光电导天线的发射特性
机译:关于低温生长的GaAs光电导天线1.5μm激发的功率依赖性
机译:用COMSOL多发性与商业LT-GAAS发射器实验比较使用COMSOL多发性的黑磷太赫兹光电导光线的计算模拟
机译:基于DSTMS发射器和LTG InGaAs / InAlAs光电导天线检测器的宽带THz-TDS系统
机译:基于LT-GaAs的THz光电导天线的发射功率和频谱研究
机译:低温生长的Gaas光混合器中的毫瓦输出电平和超级二次偏置依赖性