Advanced Materials; Advanced Processes; FEOL; Transistor Structures;
机译:通过对高K栅极电介质进行原子层蚀刻来改善金属栅极/高K电介质CMOSFET的特性
机译:具有高k /金属栅结构的金属氧化物半导体器件中高k / SiO_2界面处偶极子形成的物理起源
机译:不同高k栅极电介质下的金属绝缘体 - 半导体和金属绝缘体 - 半导体 - 绝缘体 - 金属电容器的电气特性在半古典和量子机械模型中研究
机译:2010年代的高k /金属门
机译:具有高k栅极氧化物和金属栅极的MOS器件中的辐射响应。
机译:使用氧化锆纳米线作为高k栅极电介质的高性能顶门石墨烯纳米晶体管
机译:亚纳米等效氧化物厚度的高级高k栅介电非晶LaGdO3栅金属氧化物半导体器件