Stress; Logic gates; Fitting; Threshold voltage; Mathematical model; Temperature measurement; Substrates;
机译:带有铜栅的a-IGZO TFT的栅极偏置应力引起的阈值电压漂移效应
机译:偏置温度应力下非晶铟镓锌氧化锌TFT的阈值电压漂移
机译:评估多晶硅TFT的负偏压温度应力引起的阈值电压偏移变化的分析方法
机译:利用改进的拉伸指数方程估算a-IGZO TFT在不同偏置温度应力下的阈值电压漂移
机译:低温溶液处理低压IGZO TFT的制备,表征和应用
机译:偏置应力和温度对InGaZnO TFT和电路的影响
机译:在正偏置照明应力下,传导带偏离依赖性阈值电压移位在A-Ingazno TFT中