Ions; Random access memory; Sensitivity; Temperature dependence; Temperature distribution; Temperature measurement; Temperature sensors; Monte Carlo simulation; SRAM; Single event upset; bulk and SOI technologies; energy deposition; heavy ions; temperature dependence;
机译:蒙特卡洛探索SRAM中中子诱发的SEU敏感体积
机译:用于不同质子能量的65nm 3D SRAM单元的敏感体积的各种能量沉积
机译:通过器件仿真比较NMOS和PMOS晶体管对SRAM中SEU的灵敏度
机译:沉积能量在敏感体积对SRAM装置中SEU敏感性温度依赖性的影响
机译:第一部分:皮秒光学量热法:分离焓和体积贡献,并从混合物研究确定绝对焓。第二部分电子转移反应中溶剂重组能的温度和距离依赖性的光谱研究
机译:温度适应对金鱼肠腺苷三磷酸酶温度依赖性和哇巴因敏感性的影响
机译:轨道参数对纳米SRAM装置低能量质子率的影响