Device characterization; MOSFET; Power semiconductor device; Robustness; Silicon Carbide (SiC); Wide bandgap devices;
机译:碳化硅(SiC)功率MOSFET的单事件损伤研究
机译:碳化硅(SiC)功率MOSFET过电流保护方案的设计和性能评估
机译:碳化硅功率MOSFET雪崩击穿鲁棒性的综合研究
机译:碳化硅(SIC)功率MOSFET的瞬态鲁棒性测试
机译:4H碳化硅低压MOSFET和功率MOSFET的表征和建模
机译:分立工程用于嵌入式硅控整流器的高压60V n沟道横向扩散MOSFET的瞬态传感和可靠性改善。
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