机译:在130 nm SiGe-BiCMOS中具有20 dBm输出功率和PAE高于15%的宽带,双通道,毫米波功率放大器
机译:130 nm SiGe BiCMOS中的高增益100-180 GHz差分功率放大器的分析和设计
机译:具有0.13 m SiGe BiCMOS技术的2频段增益和7.7 dBm输出功率的D波段共源共栅放大器
机译:用于毫米波功率放大器的高功率,高增益SiGe BiCMOS输出级的分析和设计
机译:微波和毫米波多频带功率放大器,功率结合网络和发射机前端在硅锗BICMOS技术
机译:通过使用基于模型的权重来进行具有实质性治疗切换的晚期癌症试验分析从而获得强大的功能和精度
机译:SiGe BiCMOS技术中的毫米波功率放大器概念可用于研究HBT物理限制