AIGaNIGaN; Cl2-based ICP; HEMT; mesa etching; styling;
机译:中性束蚀刻用于AIGaN / GaN HEMT中的器件隔离
机译:通过优化干蚀刻工艺,将嵌入式栅极AIGaN / GaN HEMT的漏电流降至最低
机译:极化相关的电荷控制模型,用于评估AIGaN / GaN / AIGaN双异质结构HEMT的微波性能
机译:基于Cl2的ICP对AIGaN / GaN HEMT结构的蚀刻
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:用多指架构调制对高功率应用的自终止蚀刻技术常关P-GAN / ALGAN / GAN HEMT的研究
机译:基于GaN的Cl2的ICP-RIE干法刻蚀