Grain boundaries; Copper; Reliability; Strain; Semiconductor devices; Silicon; Stress;
机译:FIB系统中微拉伸测试方法在评估晶界强度方面的进展
机译:显微尺寸双晶体拉伸试验的发展,用于PWW环境的合金600氧化晶界强度测量
机译:具有扭曲和倾斜晶界的双晶硅纳米薄膜的拉伸响应
机译:用微拉伸试验评估电镀铜薄膜中晶界的抗拉强度与晶界结晶度之间的关系
机译:纳米铜膜中的表面和晶界散射:定量分析,包括晶粒界限
机译:双晶铜中∑5倾斜晶界拉伸变形行为的原子模拟
机译:通过Udimet合金188的原位拉伸蠕变试验评估了晶界裂纹的演变