机译:具有电流重用,底部串联耦合和正向偏置技术的CMOS QVCO
机译:CMOS QVCO采用组合电容耦合,底部串联耦合和分裂切换偏置技术
机译:在90 nm互补金属氧化物半导体中采用电容耦合技术的基于0.1 V 13 GHz变压器的正交压控振荡器
机译:基于变压器的电流重复使用QVCO,具有180nm CMOS的电容耦合技术
机译:采用低功率开关电容技术的CMOS模拟和射频集成电路设计
机译:开关电容器在28 nm CMOS中实现突触前短期可塑性和停止学习突触的实现
机译:CMOS QVCO采用组合电容耦合,底部串联耦合和分裂切换偏置技术