Si microchannel arrays; dark current; photo-electrochemical etching; etching voltage; temperature;
机译:刻蚀电流密度对光电化学刻蚀对大孔硅阵列形貌的影响
机译:电压对n型大孔硅阵列光电化学蚀刻的影响
机译:深度反应离子蚀刻参数对具有高纵横比极深硅蚀刻工艺蚀刻速率和表面形态的影响:
机译:温度和蚀刻电压对硅微通道阵列光电化学蚀刻表面形态的影响
机译:具有理想氢终止作用的化学蚀刻新表面清洁技术:silcon(111)和硅(100)表面的表面化学和形态。
机译:先前的酸蚀对自蚀胶与腔表面搪瓷的界面形态和结合强度的影响
机译:蚀刻时间对光电化学阳极氧化对p型和n型多孔硅纳米结构表面结构性能的影响