机译:利用磁隧道结和自旋转移转矩切换实现非易失性存储器的位元级优化
机译:基于MgO的磁性隧道结中的自旋转移磁化开关读/写循环测试
机译:低写入电流磁性随机存取存储单元的写入线插入磁性隧穿结的性能
机译:每个单元中使用磁隧道结和FET开关的10 ns读写非易失性存储阵列
机译:垂直磁各向异性材料和磁隧道结的切换研究
机译:PEDOT PSS中的电阻性切换记忆现象:可切换二极管效应和一次写入多次读取记忆并存
机译:使用磁隧道的非易失性静态随机存取存储器(NV-sRam) 具有电流感应磁化开关结构的连接点
机译:用于磁隧道结的独立写和读访问架构。