CVD diamond; silicon nitride (Si_3N_4); HFCVD;
机译:通过功能化接种在具有高成核密度的氮化硅插入物(Si_3N_4)上生长CVD金刚石膜
机译:在用Zr:金刚石混合浆料预处理的硅单晶上生长的HFCVD金刚石膜的增强形核和生长后研究
机译:CVD金刚石在氮化硅上的形核和早期生长
机译:CVD金刚石薄膜通过官能化播种具有高成核密度的氮化硅插入件(Si_3N_4)的生长
机译:氮化硅和硬质碳化钨工具上的微波辅助CVD金刚石涂层的分析和实验研究以及几种过渡金属上多晶金刚石的生长
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:通过在Co胶 ud上进行的表面处理来提高HFCVD沉积的多晶金刚石膜的成核密度和附着力碳化钨