SRAM; low leakage current; optimum energy-per-operation; static noise margin;
机译:FinFET SRAM单元设计在高电源电压下具有BTI稳健性,在低电源电压下具有高良率
机译:低电压13T抗辐射SRAM位单元的单粒子翻转耐受性研究
机译:用于超低功耗空间应用的低压辐射增强型13T SRAM位单元
机译:最佳能量电源电压下高强大的SRAM位点
机译:纳米级SRAM的电源电压最小化和良率感知。
机译:基于电压倍增器的大气压下冷等离子体源的电源电路
机译:用于28nm 3D CoolCubetm技术的超低电压操作的节能4T基于SRAM位点