机译:薄膜外延硅太阳能电池面积超过70%〜2时具有16%的薄膜外延硅太阳能电池,具有30μm的有源层,多孔硅背反射器和基于铜的顶部接触金属化层
机译:基于批量生产技术的钝化发射器和后接触配置的单晶硅太阳能电池单晶硅太阳能电池的数值研究
机译:剥离的〜25 µm厚度的单晶硅片上的单异质结太阳能电池
机译:基于40μm厚的单晶硅的20.44%高效,243 cm〜2面积,背面接触式太阳能电池可制造,无电镀,无Ag金属化
机译:通过金属诱导生长,用于纳米级触点的金属硅化物纳米线和用于太阳能电池的多晶硅薄膜。
机译:9.1%富含氧化锌/硅太阳能电池50μm厚的Si吸收器
机译:具有掺杂硅膜的物理气相沉积的具有孔选择性钝化触点的23%高效的P型晶体硅太阳能电池
机译:基于破坏性低成本单晶技术的高效太阳能电池和模块产品的生产和制造规模。最终技术进步报告,2009年4月1日 - 2010年12月30日。