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【24h】

ELECTRON-BEAM CRYSTALLIZATION OF AMORPHOUS SILICON THIN FILMS DEPOSITED BY DC-SPUTTERING METHOD FROM SI:B SINGLE TARGET

机译:直流溅射法从SI:B单靶沉积非晶硅薄膜的电子束结晶化

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摘要

The electron beam annealed silicon absorber layer for solar cell is investigated. 1μm-thick p-typeamorphous silicon (p-a-Si) layer was deposited using DC sputtering system. Each sample was annealed usingelectron beam in various conditions for crystallization. electrical and structural properties of annealed samples werecharacterized by X-ray diffraction (XRD), Hall effect measurement, Raman photoluminescence
机译:研究了用于太阳能电池的电子束退火硅吸收层。 1μm厚的p型 使用DC溅射系统沉积非晶硅(p-a-Si)层。每个样品使用 电子束在各种条件下结晶。退火样品的电学和结构性能分别为 通过X射线衍射(XRD)表征,霍尔效应测量,拉曼光致发光

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