QCSE; SiGe; integrated optoelectronics; modulators; optical interconnections;
机译:使用不对称Fabry-Perot结构的表面法向电吸收反射调制器
机译:Franz-Keldysh效应和量子限制的Stark效应电吸收波导调制器的性能极限比较分析
机译:超晶格表面法向非对称法布里-珀罗反射调制器:光学调制和切换
机译:Si-Ge表面正常不对称法布里 - 珀罗量子局限性颗粒效果电吸收调制器
机译:使用高速非对称Fabry-Perot量子阱调制器阵列快速重新配置直接空时脉冲整形。
机译:由极性重复单元组成的分子单分子层中的集体诱导量子限制斯塔克效应
机译:基于多体理论的中红外硅基电吸收器件GeSn / SiGeSn量子阱的量子限制斯塔克效应分析