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【24h】

A low power CMOS LNA for 2.45-GHz band IEEE 802.15.4 standard in 0.18-μm technology

机译:适用于0.18-μm技术中2.45 GHz频段IEEE 802.15.4标准的低功耗CMOS LNA

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摘要

In this paper, we propose a design methodology for a low-power CMOS LNA consisting of a common-gate stage with modified input matching circuitry and inductive inter-stage architecture for 2450-MHz Band IEEE 802.15.4/ZigBee standard. This configuration provides better input matching, lower noise figure and further reverse isolation which is vital in LNA design. Simulation results show a gain of 16.85 dB, a noise figure of 1.24 dB, an IIP3 of 12.6 dBm and -21.22 dB input matching (S11) for the LNA. The circuit operates at the supply voltage of 1.8 V and power dissipation of 4 mW.
机译:在本文中,我们提出了一种针对低功耗CMOS LNA的设计方法,该低功耗CMOS LNA包括一个共栅极级,具有修改后的输入匹配电路和电感性级间架构,适用于2450 MHz频段IEEE 802.15.4 / ZigBee标准。这种配置提供了更好的输入匹配,更低的噪声系数以及进一步的反向隔离,这对于LNA设计至关重要。仿真结果表明,LNA的增益为16.85 dB,噪声系数为1.24 dB,IIP3为12.6 dBm,输入匹配(S11)为-21.22 dB。该电路在1.8 V的电源电压和4 mW的功耗下工作。

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