机译:常压PECVD涂层和等离子化学蚀刻连续加工
机译:常压PECVD涂层和等离子化学蚀刻连续加工
机译:用大气压等离子体刻蚀工艺用狭缝掩模对SiC晶片进行切块
机译:等离子体增强CVD和等离子体化学蚀刻在大气压下进行晶体硅太阳能晶片的连续加工
机译:大气压等离子体CVD工艺的设计,该工艺使用介电势垒放电沉积氮化硅薄膜。
机译:异丙醇浓度和刻蚀时间对低电阻晶体硅晶片湿化学各向异性刻蚀的影响
机译:利用常压等离子体等离子体蚀刻背面减薄碳化硅晶片
机译:使用Inline mW RpECVD(microWave远程等离子体增强化学气相沉积)系统进行连续siN(sub x)等离子体处理