silicon-on-insulator; Bluetooth; band-pass filters; radiofrequency integrated circuits; transceivers; Q-factor; UHF filters; Q-enhanced integrated LC filter; noise figure; bandpass filters; wireless communication network; compression point dynamic range; SOI; silicon-on-insulator process; SOS; silicon-on-sapphire; Bluetooth; dynamic range; transceivers; high bulk resistivity; high-Q inductors; on-chip high-Q filter; 6 dB; 2.5 GHz; 5 mA; 3 V; 70 MHz;
机译:SOI中的2.5GHz低功耗,高动态范围,自调谐Q增强LC滤波器
机译:2.1 dB噪声系数5.2 GHz CMOS低噪声放大器,采用晶圆级集成无源器件技术,DC功耗为10 mW
机译:采用RC噪声滤波技术的5.8 GHz完全集成式低功耗低相位CMOS LC VCO
机译:一个完全集成的Q增强LC滤波器,具有6 dB噪声系数在SOI中为2.5GHz
机译:用于无线接收器的CMOS集成LC Q增强型RF滤波器。
机译:使用集成模糊滤波器减少边缘保留的斑点噪声
机译:采用sOI封装的2.5 GHz低功耗,高动态范围,自调整Q增强型LC滤波器