机译:基板预处理和初始生长:通过分子束外延在蓝宝石上实现高质量III氮化物生长的策略
机译:纳米图案蓝宝石上III型氮化物发光二极管的MOVPE缩写成核
机译:使用化学剥离和室温直接晶片键合以及GaN晶片规模在ZnO缓冲蓝宝石上进行GaN晶片规模的MOVPE生长,从蓝宝石转移到玻璃基板的MOVPE GaN薄膜的结构和成分表征
机译:一种新的“三步法”,在蓝宝石上高质量的Movpe生长III-氮化物
机译:金属有机气相外延(MOVPE)的生长和III-氮化物异质结构的表征,用于电子设备。
机译:蓝宝石衬底上具有纳米尺度厚AlN成核层的高质量无裂纹AlN薄膜的异质外延生长用于基于AlGaN的深紫外发光二极管
机译:用MOVPE评估非极性(11-20)GaN在蓝宝石上的异质外延生长方法
机译:LWIR alInas / GaInas / Inp量子级联激光器的mOVpE生长:生长和材料质量对激光性能的影响。