首页> 外文会议>Solid State Device Research Conference, 1995. ESSDERC '95 >Demonstration of Enhanced Base Diffusion Due to Extrinsic Base Implantations in Submicron, Polysilicon-Emitter, Epitaxial Base Bipolar Transistors
【24h】

Demonstration of Enhanced Base Diffusion Due to Extrinsic Base Implantations in Submicron, Polysilicon-Emitter, Epitaxial Base Bipolar Transistors

机译:演示了由于亚微米,多晶硅发射极,外延基极双极晶体管中的外部基极注入而导致的增强基极扩散

获取原文

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号