机译:静体型IngaAs门 - 全周内静电表征及阈值电压建模
机译:亚阈值和强反转区域中的矩形栅极(RecG)全方位栅(GAA)MOSFET的3D电势分布的解析模型
机译:300mm Si衬底上的InGaAs栅全能纳米线器件
机译:nMOS / GAA(全能门)晶体管阈值的特性
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:优化四层垂直堆叠水平门 - 全面的结构和电气特性 - 全周Si NanosheLs设备
机译:制造敏感性和0.18μmNMOS装置的制造灵敏度和统计过程控制要求的建模
机译:n Gaas-阳极氧化物mIs器件在高温下的反转和积累层形成。