Comparison of RTP N2O-and NH3-Nitrided Thin SiO2 Films

机译：RTP N 2 O-和NH 3 -氮化的SiO 2 薄膜的比较

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Thin SiO2 films nitrided by rapid thermal processing in N2O and NH3 are compared. The effect of nitrogen on growth kinetics, composition and electrical characteristics is determined.

机译：比较了在N 2 O和NH 3 中通过快速热处理氮化的SiO 2 薄膜。确定氮对生长动力学，组成和电特性的影响。

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来源
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》|1993年|407-410|共4页
会议地点
作者
Bouvet D.; Novkovski N.; Mi J.; Letoumeau P.; Dutoit M.; Pio F.; Riva C.; Bellafiore N.;
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正文语种
中图分类非金属材料;
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