Optimization of a submicron HIMOS Flash E²PROM cell for implementation in a virtual ground array configuration

机译：优化亚微米HIMOS Flash E ^{2 PROM单元，以在虚拟接地阵列配置中实现}

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This paper describes the implementation of High Injection MOS Flash E²PROM devices in a 0.7ÃÂÃÂ¿m CMOS technology. The cell has been optimized from the point of view of cell area as well as programming speed. A virtual ground array configuration is proposed to scale the cell area down to the range of 15ÃÂÃÂ¿m². The device is programmed in a few hundreds of nanoseconds at 5V-only operation and in 100ÃÂÃÂ¿s at 3.3V-only operation. The combination of these results with a low development entry cost shows that the HIMOS cell is a viable candidate for fast-programmable 5V-only (and 3.3V-only) medium-to-high density Flash memories.

机译：本文介绍了一种0.7μmCMOS技术中高注入MOS Flash E ^{2 PROM器件的实现。从单元区域以及编程速度的角度出发，已经对该单元进行了优化。提出了一个虚拟的地面阵列配置，以将单元格区域缩小到15°m ^{2 的范围。该器件在仅5V的工作状态下以几百纳秒的速度被编程，而在3.3V仅有的工作状态下被编程为100微秒。这些结果与较低的开发入门成本相结合，表明HIMOS单元是快速可编程的仅5V（仅3.3V）中高密度闪存的可行选择。}}

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来源
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》|1993年|381-384|共4页
会议地点
作者
Van Houdt J.; Wellekens D.; Haspeslagh L.; Deferm L.; Groeseneken G.; Maes H.E.;
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中图分类非金属材料;
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