GaAs; pHEMTs; epi-wafers; MOVPE; surface defects;
机译:表面缺陷转化-电子产率x射线吸收光谱法探测部分氧化的碳氮化钽核壳颗粒中作为活性氧还原位点的结构缺陷
机译:MOVPE生长的AIN中蓝宝石切割和缺陷密度降低的相关性(第253卷,第809页,2016年)
机译:MOVPE生长的AlN中蓝宝石切角的相关性和缺陷密度的降低
机译:由MOVPE生长的PHEMT EPI晶片上的表面缺陷和颗粒的戏剧性降低,以获得更高的晶体管产量
机译:亚微米颗粒的光散射和光滑且有图案的表面上的缺陷。
机译:前脑主要神经元中CBP的消融导致适度的记忆力和转录缺陷组蛋白乙酰化明显降低但不影响细胞活力
机译:MOVPE生长的n-InGaP表面化学性质与电性质的相关性