机译:使用非合金Ge / Pd触点的非常薄的接触层的共振隧穿结构
机译:双重石墨烯层结构中的双注入,共振隧穿复合和电流-电压特性
机译:从电子阻挡层分析InGaN / GaN多量子阱中局部载流子的异常电压-电流行为
机译:共振隧穿结构可显着降低蓝绿色激光器中接触pZnSe层的电压降:电压-电流行为的仿真
机译:尺寸减小和弹性散射对谐振隧穿二极管的电流电压特性的影响。
机译:Ag(111)上生长的硅层的原子结构:扫描隧道显微镜和非接触式原子力显微镜观察。
机译:双注射,谐振隧道重组和双石墨层结构中的电流 - 电压特性*