机译:CMOS成像器可以进行电荷耦合:现有的技术可以增加CMOS成像器的电荷耦合,从而为低成本CMOS器件带来电荷耦合的低噪声优势
机译:使用慢充快速放电技术的峰值功耗为6 mW的3–10 GHz IR-UWB CMOS脉冲发生器
机译:迭代逻辑阵列的C测试设计技术
机译:用于低成本充电/放电CMOS振荡器的自偏置频率补偿技术
机译:使用线性化技术的用于大型金属MEMS反射镜阵列的集成CMOS电子驱动器。
机译:具有集成DAC校准和电荷平衡的CMOS电流控制神经刺激阵列
机译:采用慢速快速放电技术的3-10 GHz IR-UWB CmOs脉冲发生器,峰值功耗为6 mW
机译:探测器II的设计:用于研究并发错误检测技术的CmOs门阵列