MIS devices; dielectric materials; high-k dielectric thin films; semiconductor device models; wave functions; MOS devices; gate dielectric; high-k gate dielectrics; substrate doping density; wave function penetration;
机译:基于物理的紧凑型栅极C-V模型用于超薄(EOT〜1 nm及以下)栅极介电MOS器件
机译:MOS器件基于物理的量子力学紧凑模型,通过超薄(EOT〜1 nm)SiO {sub} 2和高k栅叠层注入衬底的隧道电流
机译:使用五元素电路模型对高k栅极介质和超薄氧化物进行两频C-V校正
机译:具有高k门电介质的MOS器件的改进的物理基础C-V型号
机译:适用于未来规模化技术的高介电常数电介质和高迁移率半导体:氧化ha /锗CMOS器件的Ha基高K栅极电介质和界面工程
机译:基于镁离子导电生物聚合物复合膜电解质的固态EDLC器件:阻抗电路建模电介质性能和电化学特性
机译:基于Hf的高K栅极电介质和金属栅极叠层,用于高级CMOS器件