机译:通过使用通过VLS传输选择性生长的高度p型掺杂的4H-SiC层来提高p型4H-SiC的比接触电阻
机译:更新了4H-SiC {0001}单极器件中特定导通电阻与击穿电压之间的权衡关系
机译:在通过气液固传输选择性生长的高度p型掺杂的4H-SiC层上进行的极低的比接触电阻测量
机译:6KV 4H-SIC BJTS使用选择性地生长的碱接触过程,具有特定导通电阻的单极极限
机译:MBE生长的氮化镓上触点的处理和表征
机译:一次性多壁碳纳米管为基础的无增塑剂的固态接触式Pb2 +选择性电极具有低于PPB的检测极限
机译:4H-siC功率BJT具有高电流增益和低导通电阻