circuit simulation; insulated gate bipolar transistors; parameter estimation; power electronics; semiconductor device models; 1200 A; 3.3 kV; Hefner IGBT model; circuit simulation; insulated gate bipolar transistor; parameter extraction; power electronics circuits; H;
机译:基于物理的IGBT紧凑模型的顺序模型参数提取技术
机译:无极端参数的高级沟槽IGBT的面向结构的紧凑模型:第二部分
机译:面向结构的紧凑型高级沟槽IGBT的紧凑模型,无极端条件的拟合参数:第一部分
机译:HEFNER IGBT模型的IGBT参数提取
机译:SiC P沟道绝缘栅双极晶体管(IGBTS)的建模。
机译:基于新型Volterra k最近邻最优修剪极限学习机(VKOPP)模型的绝缘栅双极晶体管(IGBT)剩余寿命估算
机译:无极端参数的高级沟槽IGBT的面向结构的紧凑模型:第二部分