MIS devices; MOSFET; Poisson equation; semiconductor device models; 1D Poisson equation; Gauss law; pocket implanted nMOSFET; submicrometer MOS devices; threshold voltage model;
机译:20纳米物理栅极长度NMOSFET,具有1.2纳米栅极氧化物,浅注入的源极和漏极以及BF / sub 2 /口袋
机译:对“具有20 nm物理栅极长度的NMOSFET进行了校正,该NMOSFET具有1.2 nm栅极氧化物,浅注入的源极和漏极以及BF / sub 2 /口袋〜
机译:基于物理的阈值电压和迁移率模型,包括浅沟道隔离应力对nMOSFET的影响
机译:植入NMOSFET的SUB-100 NM Pocket的阈值电压模型
机译:45 nm栅极长度n-MOSFET陷阱引起的阈值电压波动仿真的比较分析和分析模型预测。
机译:fT高于460-GHz的50nm以下50nm nMOSFET的小信号性能和建模
机译:具有局部缺陷的LDD nmOsFET的电位表面和阈值电压建模
机译:衬底和注入对半绝缘Gaas制备的mEsFET结构阈值电压的影响模拟