power MOSFET; CMOS integrated circuits; switching convertors; high side switches; p-channel trench lateral power MOSFET; lateral DMOS; synchronous switching converter; 35 V; 0.6 mum;
机译:具有沟槽底部源极触点的高密度低导通电阻沟槽横向功率MOSFET
机译:采用0.6μm智能功率技术的低导通电阻沟道横向功率MOSFET
机译:采用0.6μm智能功率技术的低导通电阻沟槽横向功率MOSFET
机译:具有以下特性的高密度,低导通电阻,沟槽横向功率MOSFET沟槽底部源极接触
机译:具有沟槽底部源极触点的高密度,低导通电阻的沟槽横向功率MOSFET。
机译:具有多个外延层的150–200 V分离栅沟道功率MOSFET
机译:低导通电阻的SiC沟槽/平面MOSFET,具有减少的截止态氧化物场和低栅极电荷
机译:用于军事和商业应用的低导通电阻siC功率mOsFET的开发