power MOSFET; semiconductor device breakdown; doping profiles; RESURF stepped oxide MOSFET; RSO MOSFET; low specific on-resistance; drift region trench field-plate network; thick oxide layer isolated field-plate; hexagonal layout trench network; improved breakdown RESURF effect; effective doping level; breakdown voltage; cell pitch; drift region length; gate-drain charge density; drift region field-plate oxide capacitance; 85 V; 10 V; 4.0 micron; 5 micron;
机译:带有P柱的分体式栅极再冲浪阶梯式氧化物UMOSFET,可提高性能
机译:改进先进的分栅再冲浪阶梯式氧化物UMOSFET性能的操作方法
机译:带有凹陷源的多表面SOI LDMOSFET的击穿电压和导通电阻
机译:Resurf阶梯式氧化物(RSO)MOSFET用于85V,具有记录低特定的导通电阻
机译:碳化硅中的高压横向RESURF MOSFET。
机译:具有增强的双栅极和部分P埋层的超低比导通电阻横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
机译:一种新型具有斜坡场板的Resurf阶梯式氧化物mOsFET
机译:用于军事和商业应用的低导通电阻siC功率mOsFET的开发