indium compounds; gallium compounds; gallium arsenide; bipolar analogue integrated circuits; bipolar MMIC; UHF amplifiers; MMIC amplifiers; UHF integrated circuits; wireless LAN; transceivers; III-V semiconductors; integrated circuit noise; triple-band low noise amplifier; miniaturized monolithic low noise amplifier; wireless LAN applications; HBT technology; high gain; input matching; output matching; shunt-shunt feedback; multiband transceivers; high transducer gain; reverse isolation; cascade configuration; 2.4 GHz; 5.2 GHz; 5.7 GHz; InGaP-GaAs;
机译:适用于2.4 / 5.2 / 5.7 GHz WLAN应用的InGaP-GaAs HBT低噪声放大器
机译:适用于1.8 / 1.9 GHz GSM,2.4 / 4.9 / 5.2 / 5.7 GHz WLAN和5-7 GHz超宽带(UWB)系统应用的同步多波段InGaP-GaAs HBT LNA
机译:使用InGaP-GaAs HBT技术的5.2 GHz低功耗低噪声放大器
机译:使用Ingap / GaAs HBT技术的2.4 / 5.2 / 5.7 GHz WLAN应用的小型化单片低噪声放大器
机译:适用于WLAN应用的1.5 V,2.4 GHz单片CMOS次整数N频率合成器。
机译:亚nW 2.4 GHz发射机用于低数据速率传感应用
机译:基于InGaP / GaAs HBT的低噪声和高线性度LNA,用于5.3 GHz WLAN
机译:用于2.4 GHz低功耗微波放大器和RFIC的自对准Gaas JFET;电子信件