机译:通过测量结漏电流评估DRAM单元晶体管结的电场的新方法
机译:高k电介质和p-n结中等离子体充电损伤及其对金属氧化物半导体场效应晶体管的关态漏电流影响的比较研究
机译:通过加速功率循环测试分析商用650 V离散型GaN-on-Si HEMT电源器件的断态漏源漏电流故障机理
机译:DRAM测试中检测关闭状态和结泄漏的保护带确定
机译:具有可调单元容量的多级DRAM的设计,实现和测试。
机译:不稳定的头杆连接可能促进折叠成受调节的肌球蛋白的紧凑的断态构象
机译:使用栅极 - 漏极潜水潜水局部减少III-V垂直纳米线隧道FET中的Ampolar断开状态漏电流