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A 40 ns random access time low voltage 2Mbits EEPROM memory for embedded applications

机译：适用于嵌入式应用的40 ns随机访问时间低压2Mbits EEPROM存储器

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2Mbits EEPROM memory has been designed using the ATMEL 0.18 /spl mu/m embedded technology. On silicon program and read access time measurements are given, and an optimized production testing flow is proposed.

机译：2Mbit EEPROM存储器已使用ATMEL 0.18 / spl mu / m嵌入式技术进行了设计。给出了在硅编程和读取访问时间的测量，并提出了优化的生产测试流程。

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来源
《》|2003年|p.81-85|共5页
会议地点
作者
Daga; J.-M.; Papaix; C.; Racape; E.; Combe; M.; Sialelli; V.; Guichaoua; J.;
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作者单位

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类无线电电子学、电信技术;
关键词
EPROM; embedded systems; production testing; memory architecture; parallel programming; random-access storage; random access time; EEPROM memory; ATMEL embedded technology; silicon program; read access time; optimized production testing flow; electricall;

机译：EPROM;嵌入式系统;生产测试;内存架构;并行编程;随机访问存储;随机访问时间; EEPROM存储器; ATMEL嵌入式技术;硅程序;读取访问时间;优化的生产测试流程;电气;

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