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Large response of a hybrid inorganic-polymer photodetector

机译:杂化无机聚合物光电探测器的大响应

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摘要

Hybrid inorganic-polymer p-n junction device structures are fabricated using chemical bath deposited cadmium sulphide nanoparticles as inorganic photosensitive n-type materials and poly (9-vinyl carbazole) as a hole conducting polymer. This device displays rectifying ratio as large as 11. The photoresponsivity increases with the reverse bias voltage and its value is found to be typically 1.2 AW/sup -1/ at the reverse bias of 2 V.
机译:使用化学浴沉积的硫化镉纳米粒子作为无机光敏n型材料,并使用聚(9-乙烯基咔唑)作为空穴传导聚合物,制造了杂化的无机聚合物p-n结器件结构。该器件的整流比高达11。光响应度随反向偏置电压的增加而增加,在2 V的反向偏置电压下,其光阻典型值为1.2 AW / sup -1 /。

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