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Analysis and characterization of device variations in an LSI chip using an integrated device matrix array

机译：使用集成器件矩阵阵列对LSI芯片中的器件变化进行分析和表征

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For future LSI design technology, the device matrix array (DMA), which can precisely evaluate variation in device parameters within a die, has been developed. The DMA consists of a 14-by-14 array of common units. The unit size is 240 by 240 /spl mu/m, and each unit contains 148 measurement elements (52 transistors, 30 capacitors, 51 resistors, and 15 ring oscillators).

机译：对于未来的LSI设计技术，已经开发出可以精确评估管芯内设备参数变化的设备矩阵阵列（DMA）。 DMA由14 x 14的通用单元阵列组成。单元尺寸为240 x 240 / spl mu / m，每个单元包含148个测量元件（52个晶体管，30个电容器，51个电阻器和15个环形振荡器）。

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来源
《》|2003年|p.3-75|共73页
会议地点
作者
Ohkawa; S.; Aoki; M.; Masuda; H.;
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作者单位

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类无线电电子学、电信技术;
关键词
large scale integration; integrated circuit measurement; capacitance; integrated circuit noise; device variations; LSI chip; integrated device matrix array; DMA; device parameters; measurement elements; ring oscillators; 240 micron;

机译：大规模集成;集成电路测量;电容;集成电路噪声;器件变化; LSI芯片;集成器件矩阵阵列; DMA;器件参数;测量元件;环形振荡器; 240微米;
入库时间 2022-08-26 14:09:19

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