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【24h】

High-energy Implanted BiCMOS (HEIBIC) Technology For Fabricating A 2-GHZ PCS Single Superchip

机译：高能量植入BiCMOS（HEIBIC）技术用于制造2-GHZ PCS单个超级芯片

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来源
《》|2001年|P.325-327|共3页
会议地点
作者
Lee; K.H.; Chyan; Y.F.;
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正文语种
中图分类无线电电子学、电信技术;
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