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High-energy Implanted BiCMOS (HEIBIC) Technology For Fabricating A 2-GHZ PCS Single Superchip

机译：用于制造2 GHz PCS单层超级芯片的高能植入BICMOS（HEIBIC）技术

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《International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications》|2001年||共3页
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作者
Lee K.H.; Chyan Y.F.; Institute of Electric and Electronic Engineer;
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正文语种
中图分类自动化技术、计算机技术;
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