机译:使用新型InGaAs-AlAsSb-InP耦合双量子阱结构进行亚带间跃迁,以1.3 / spl mu / m / 1.55 / spl mu / m的超快全光切换
机译:InGaAsP MQW中以1.52 / spl mu / m的皮秒全光偏振切换
机译:无源InGaAsP MQW波导中1.53μm的低功率全光偏振栅极开关
机译:全光偏振切换为1.5 / SPL MU / M在/ SUB 1-X / GA / SUB X / AS / SUS Y /(P / SUB 1-Y /)中 - INGAASP多量子阱
机译:金属有机气相外延生长过程中In(x)Ga(1-x)N / In(y)Ga(1-y)N多量子阱结构的稳定性
机译:在a平面和m平面GaN衬底上生长的InGaN / GaN多量子阱的光学和偏振特性的研究
机译:InGaAsP多量子阱中1.5微米处的偏振转换和诱导双折射
机译:Inas(1-x)sb(x)/ In(1-y)Ga(y)作为多量子阱异质结构设计用于改进的4-5微米激光器